Sintesi e caratterizzazione dei materiali ossidici

Questo studio aiuta i giovani ricercatori ad approfondire la conoscenza dei materiali semiconduttori a base di ossidi e di alcune loro proprietà; il drogaggio di questi due materiali ha portato alla creazione di materiali a base di ossido di indio e stagno, che trovano numerose applicazioni nel campo dell'optoelettronica. L'ossido di indio e stagno (In¿O¿:Sn) è un materiale semiconduttore di tipo n con un ampio band gap. In presenza di carenza di ossigeno diventa conduttivo, mentre in condizioni stechiometriche è isolante. La variazione di resistenza quando esposti ad atmosfera gassosa svolge un ruolo cruciale nelle applicazioni di rilevamento dei gas di questi materiali. I materiali per il rilevamento dei gas dovrebbero avere un'ampia superficie, in modo che l'area di contatto tra i grani e le molecole gassose risulti notevolmente aumentata, il che migliorerà la sensibilità e la selettività dei sensori. L'In¿O¿, lo SnO¿ e l'In¿O¿:Sn sono stati utilizzati sotto forma di polveri, film spessi e film sottili come materiali per la rilevazione dei gas; tra questi, gli elementi sensori a base di polveri consentono di realizzare sensori a basso costo in un'unica fase. A tal fine, le polveri di questi ossidi semiconduttori devono essere preparate con nanograni dotati di un'ampia superficie specifica.