Zasady i zastosowania nanofotoniki

The Principles and Uses of Nanophotonic : QWs, QWWs i QDs nieliniowych optoelektronicznych materiäów nanostrukturalnych i ich zewn¿trznych konsekwencji fotoelektrycznych: Wykorzystuj¿c niedawno opracowane prawo dyspersji elektronów, które uwzgl¿dnia anizotropie stäych spin-orbiting, efektywn¿ mas¿ elektronów i kontrol¿ rozszczepienia pola krystalicznego w ramach formalizmu k.p, zewn¿trzny efekt fotoelektryczny ze studni kwantowych, drutów studni kwantowych i kropek kwantowych nieliniowych optycznych i optoelektronicznych materiäów nanostrukturalnych. Dodatkowo, zewn¿trzny efekt fotoelektryczny zostä obliczony dla II-VI i kwantowo ograniczonych optoelektronicznych materiäów napr¿¿onych (takich jak QWs, QWWs i QWs).Na przyk¿adzie kwantowo ograniczonych sieci Hg1-xCdxTe, CdGaAs2 i In1-xGaxAsyP1-y dopasowanych do CdS, InP i napr¿¿onego InSb odkryto, ¿e zewn¿trzny efekt fotoelektryczny wykazuje plateau w funkcji energii padaj¿cego fotonu, co jest kluczowe z perspektywy eksperymentalnej. Nasze uogólnione podej¿cie jest wyspecjalizowane do numerycznych ustale¿ dotycz¿cych ograniczonych kwantowo optoelektronicznych zdegenerowanych pó¿przewodników III-V.