Síntese e caracterização de materiais de óxido

Este estudo ajuda os novos investigadores a conhecer os materiais semicondutores de óxido e algumas das suas propriedades; a dopagem destes dois materiais resultou em materiais de óxido de índio-estanho, que possuem inúmeras aplicações optoeletrónicas. O óxido de índio-estanho (In¿O¿:Sn) é um material semicondutor de tipo n com uma ampla banda proibida. Com a deficiência de oxigénio, tornam-se condutores, enquanto que, em condições estequiométricas, são isolantes. A variação da resistência quando expostos a uma atmosfera gasosa desempenha um papel crucial nas aplicações destes materiais na deteção de gases. Os materiais para deteção de gases devem ter uma grande área superficial, de modo a que a área de contacto entre os grãos e as moléculas gasosas seja multiplicada, o que aumentará a sensibilidade e a seletividade dos sensores. O In¿O¿, o SnO¿ e o In¿O¿:Sn têm sido utilizados na forma de pó, película espessa e película fina como materiais de deteção de gases, sendo que os elementos de deteção à base de pó proporcionam um método de fabrico em uma única etapa para a produção de sensores de baixo custo. Para este fim, os pós destes óxidos semicondutores devem ser preparados com nanogrãos que possuam uma grande área superficial específica.